VDD耐压高于35V，输出电压28V以内，无需额外的辅助绕组供电电路，简化了变压器设计，节省成本。
芯片会根据功率MOS电流ISD自适应调整驱动电压VGS，可在CCM下更快关断功率MOS，降低电压应力，支持500kHz高频化工作。
通过工业级JEDEC可靠性标准测试，包括HTOL、ESD、Latch-up、TC等11个测试项目。
