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台积电取得半导体装置专利半导体装置包括通道区、第一

日期2024-05-17 07:29:50 来源:华体会登录地址 作者:华体会登录页面阅读:8

  金融界2023年12月13日消息,据国家知识产权局公告,积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置“,授权公告号CN220172136U,申请日期为2023年5月。

  专利摘要显示,本实用新型提供一种半导体装置。半导体装置包括通道区、第一栅极介电层以及栅极电极层。第一栅极介电层设置于通道区上方;栅极电极层设置于第一栅极介电层上方,其中第一栅极介电层包括第一部分及第二部分,而且第二部分包括稀土元素并且第一部分不包括所述稀土元素。


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